Toshiba TK N-Channel MOSFET, 11.5 A, 600 V, 3-Pin DPAK TK12P60W,RVQ(S
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11.5 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serie
TK
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
340 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
100 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
6.1mm
Lungime
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
2.3mm
Tara de origine
China
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 3.100,00
€ 1,55 Buc. (Pe o rola de 2000) (fara TVA)
€ 3.689,00
€ 1,844 Buc. (Pe o rola de 2000) (cu TVA)
2000
€ 3.100,00
€ 1,55 Buc. (Pe o rola de 2000) (fara TVA)
€ 3.689,00
€ 1,844 Buc. (Pe o rola de 2000) (cu TVA)
2000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11.5 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serie
TK
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
340 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
100 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
6.1mm
Lungime
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
2.3mm
Tara de origine
China
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse