STMicroelectronics MDmesh M5 N-Channel MOSFET, 22 A, 650 V, 3-Pin TO-247 STW30N65M5
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Tip pachet
TO-247
Serie
MDmesh M5
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
139 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
140 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Typical Gate Charge @ Vgs
64 nC @ 10 V
Latime
5.15mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.75mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
20.15mm
Detalii produs
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 6,39
€ 6,39 Buc. (fara TVA)
€ 7,60
€ 7,60 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 6,39
€ 6,39 Buc. (fara TVA)
€ 7,60
€ 7,60 Buc. (cu TVA)
Standard
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Tip pachet
TO-247
Serie
MDmesh M5
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
139 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
140 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Typical Gate Charge @ Vgs
64 nC @ 10 V
Latime
5.15mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.75mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
20.15mm
Detalii produs
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse