STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 22 A, 650 V, 3-Pin TO-247 STW28N60M2
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
MDmesh M2
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
170 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Latime
5.15mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
36 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
20.15mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 8,00
€ 4,00 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 9,52
€ 4,76 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
Standard
2
€ 8,00
€ 4,00 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 9,52
€ 4,76 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
Standard
2
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 4,00 | € 8,00 |
| 10 - 18 | € 3,76 | € 7,52 |
| 20 - 48 | € 3,35 | € 6,70 |
| 50 - 98 | € 2,99 | € 5,98 |
| 100+ | € 2,81 | € 5,62 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
MDmesh M2
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
170 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Latime
5.15mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
36 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
20.15mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse