STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V, 3-Pin TO-220 STP13NK60Z

Nr. stoc RS: 485-7490PProducator: STMicroelectronicsCod de producator: STP13NK60Z
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

13 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tip pachet

TO-220

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

550 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

150 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

66 nC @ 10 V

Latime

4.6mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.4mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

9.15mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 7,55

€ 1,51 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

€ 8,98

€ 1,797 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V, 3-Pin TO-220 STP13NK60Z
Selectati tipul de ambalaj

€ 7,55

€ 1,51 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

€ 8,98

€ 1,797 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V, 3-Pin TO-220 STP13NK60Z
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

13 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tip pachet

TO-220

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

550 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

150 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

66 nC @ 10 V

Latime

4.6mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.4mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

9.15mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze