ROHM RQ5E035BN N-Channel MOSFET, 3.5 A, 30 V, 3-Pin TSMT-3 RQ5E035BNTCL
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
RQ5E035BN
Tip pachet
TSMT-3
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
56 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.8mm
Lungime
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
0.95mm
Detalii produs
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 62,50
€ 0,25 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 74,38
€ 0,298 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
250
€ 62,50
€ 0,25 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 74,38
€ 0,298 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
250
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 250 - 450 | € 0,25 | € 12,50 |
| 500 - 2450 | € 0,24 | € 12,00 |
| 2500 - 4950 | € 0,23 | € 11,50 |
| 5000+ | € 0,22 | € 11,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
RQ5E035BN
Tip pachet
TSMT-3
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
56 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.8mm
Lungime
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
0.95mm
Detalii produs
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse