onsemi P-Channel MOSFET, 3.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 NTR4171PT1G
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15.6 nC @ 10 V, 7.4 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.01mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 8,00
€ 0,32 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 9,52
€ 0,381 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Standard
25
€ 8,00
€ 0,32 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 9,52
€ 0,381 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Standard
25
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15.6 nC @ 10 V, 7.4 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.01mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse