onsemi NTMFS5C430N N-Channel MOSFET, 185 A, 40 V, 4 + Tab-Pin DFN NTMFS5C430NT1G
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
185 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
DFN
Serie
NTMFS5C430N
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
4 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
1.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
106 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
5.1mm
Lungime
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
47 nC @ 10 V
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
1.05mm
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET, 40V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 900,00
€ 0,60 Buc. (Pe o rola de 1500) (fara TVA)
€ 1.071,00
€ 0,714 Buc. (Pe o rola de 1500) (cu TVA)
1500
€ 900,00
€ 0,60 Buc. (Pe o rola de 1500) (fara TVA)
€ 1.071,00
€ 0,714 Buc. (Pe o rola de 1500) (cu TVA)
1500
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
185 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
DFN
Serie
NTMFS5C430N
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
4 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
1.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
106 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
5.1mm
Lungime
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
47 nC @ 10 V
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
1.05mm
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET, 40V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse