onsemi N-Channel MOSFET, 79 A, 30 V, 8-Pin SO-8FL NTMFS4936NT1G
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
79 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SO-8FL
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
4.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
43 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
6.1mm
Lungime
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1.1mm
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 480,00
€ 0,32 Buc. (Pe o rola de 1500) (fara TVA)
€ 571,20
€ 0,381 Buc. (Pe o rola de 1500) (cu TVA)
1500
€ 480,00
€ 0,32 Buc. (Pe o rola de 1500) (fara TVA)
€ 571,20
€ 0,381 Buc. (Pe o rola de 1500) (cu TVA)
1500
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
79 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SO-8FL
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
4.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
43 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
6.1mm
Lungime
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1.1mm
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse