onsemi PowerTrench Dual N-Channel MOSFET, 6.5 A, 20 V, 8-Pin SOIC FDS9926A
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOIC
Serie
PowerTrench
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
30 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Latime
4mm
Number of Elements per Chip
2
Lungime
5mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Inaltime
1.5mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 3,50
€ 0,70 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 4,16
€ 0,833 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 3,50
€ 0,70 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 4,16
€ 0,833 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,70 | € 3,50 |
| 50 - 95 | € 0,60 | € 3,00 |
| 100 - 495 | € 0,52 | € 2,60 |
| 500 - 995 | € 0,45 | € 2,25 |
| 1000+ | € 0,41 | € 2,05 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOIC
Serie
PowerTrench
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
30 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Latime
4mm
Number of Elements per Chip
2
Lungime
5mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Inaltime
1.5mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse