IXYS HiperFET N-Channel MOSFET, 145 A, 650 V, 4-Pin SOT-227 IXFN150N65X2
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
145 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
HiperFET
Tip pachet
SOT-227
Timp montare
Screw Mount
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
1.04 kW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
25.07mm
Lungime
38.23mm
Typical Gate Charge @ Vgs
335 @ 10 V nC
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Inaltime
9.6mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 51,34
€ 51,34 Buc. (fara TVA)
€ 61,09
€ 61,09 Buc. (cu TVA)
1
€ 51,34
€ 51,34 Buc. (fara TVA)
€ 61,09
€ 61,09 Buc. (cu TVA)
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 4 | € 51,34 |
| 5+ | € 45,50 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
145 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
HiperFET
Tip pachet
SOT-227
Timp montare
Screw Mount
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
1.04 kW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
25.07mm
Lungime
38.23mm
Typical Gate Charge @ Vgs
335 @ 10 V nC
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Inaltime
9.6mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse