IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 115 A, 300 V, 4-Pin SOT-227 IXFN140N30P

Nr. stoc RS: 193-739Producator: IXYSCod de producator: IXFN140N30P
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

115 A

Maximum Drain Source Voltage

300 V

Tip pachet

SOT-227

Serie

HiperFET, Polar

Timp montare

Screw Mount

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

24 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

700 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

25.07mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

38.2mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

185 nC @ 10 V

Inaltime

9.6mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 33,38

€ 33,38 Buc. (fara TVA)

€ 39,72

€ 39,72 Buc. (cu TVA)

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 115 A, 300 V, 4-Pin SOT-227 IXFN140N30P
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 33,38
2€ 64,80
3€ 97,20
4€ 129,60
5€ 155,50
6€ 186,60
7€ 217,70
8€ 248,80
9€ 279,90
10€ 311,00
11€ 342,10
12€ 373,20
13€ 404,30
14€ 435,40
15€ 466,50

€ 33,38

€ 33,38 Buc. (fara TVA)

€ 39,72

€ 39,72 Buc. (cu TVA)

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 115 A, 300 V, 4-Pin SOT-227 IXFN140N30P
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 33,38
2€ 64,80
3€ 97,20
4€ 129,60
5€ 155,50
6€ 186,60
7€ 217,70
8€ 248,80
9€ 279,90
10€ 311,00
11€ 342,10
12€ 373,20
13€ 404,30
14€ 435,40
15€ 466,50

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitar
1 - 1€ 33,38
2 - 4€ 32,40
5+€ 31,10

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

115 A

Maximum Drain Source Voltage

300 V

Tip pachet

SOT-227

Serie

HiperFET, Polar

Timp montare

Screw Mount

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

24 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

700 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

25.07mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

38.2mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

185 nC @ 10 V

Inaltime

9.6mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe