IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 16 A, 500 V, 3-Pin TO-247 IXFH16N50P
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Tip pachet
TO-247
Serie
HiperFET, Polar
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
400 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
16.26mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
43 nC @ 10 V
Latime
5.3mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
21.46mm
Detalii produs
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 29,75
€ 5,95 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 35,40
€ 7,08 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
5
€ 29,75
€ 5,95 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 35,40
€ 7,08 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 5 - 9 | € 5,95 |
| 10 - 14 | € 5,63 |
| 15 - 19 | € 5,16 |
| 20+ | € 4,86 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Tip pachet
TO-247
Serie
HiperFET, Polar
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
400 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
16.26mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
43 nC @ 10 V
Latime
5.3mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
21.46mm
Detalii produs
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse