International Rectifier StrongIRFET N-Channel MOSFET Transistor, 172 A, 60 V, 3-Pin TO-247 IRFP7537PBF
Documente tehnice
Specificatii
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
172 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
StrongIRFET
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
290 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
5.31mm
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
142 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
20.7mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon
Infineon's StrongIRFET family is optimized for low RDS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
P.O.A.
Each (In a Tube of 2) (fara TVA)
2
P.O.A.
Each (In a Tube of 2) (fara TVA)
2
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
172 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
StrongIRFET
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
290 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
5.31mm
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
142 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
20.7mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon
Infineon's StrongIRFET family is optimized for low RDS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse