Infineon CoolMOS™ C3 N-Channel MOSFET, 47 A, 650 V, 3-Pin TO-247 SPW47N60C3FKSA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
47 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Tip pachet
TO-247
Serie
CoolMOS™ C3
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
415 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.9mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
252 nC @ 10 V
Latime
5.3mm
Transistor Material
Si
Inaltime
20.95mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 15,30
€ 15,30 Buc. (fara TVA)
€ 18,21
€ 18,21 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 15,30
€ 15,30 Buc. (fara TVA)
€ 18,21
€ 18,21 Buc. (cu TVA)
Standard
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 4 | € 15,30 |
| 5 - 9 | € 14,40 |
| 10 - 24 | € 13,66 |
| 25 - 49 | € 12,92 |
| 50+ | € 11,92 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
47 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Tip pachet
TO-247
Serie
CoolMOS™ C3
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
415 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.9mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
252 nC @ 10 V
Latime
5.3mm
Transistor Material
Si
Inaltime
20.95mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse