Infineon CoolMOS™ C3 N-Channel MOSFET, 11 A, 650 V, 3-Pin TO-220 FP SPA11N60C3XKSA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Tip pachet
TO-220 FP
Serie
CoolMOS™ C3
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
380 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
33 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Lungime
10.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
45 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.85mm
Inaltime
9.83mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 115,50
€ 2,31 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 137,44
€ 2,749 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 115,50
€ 2,31 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 137,44
€ 2,749 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,31 | € 115,50 |
| 100 - 200 | € 2,18 | € 109,00 |
| 250+ | € 2,02 | € 101,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Tip pachet
TO-220 FP
Serie
CoolMOS™ C3
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
380 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
33 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Lungime
10.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
45 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.85mm
Inaltime
9.83mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse