Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

Infineon N-Channel MOSFET, 1.2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 IRLML2402TRPBF

Nr. stoc RS: 302-016PProducator: InfineonCod de producator: IRLML2402TRPBF
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.2 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Serie

HEXFET

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

250 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.7V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.7V

Maximum Power Dissipation

540 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Typical Gate Charge @ Vgs

2.6 nC @ 4.5 V

Latime

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3.04mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

1.02mm

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET 12V to 25V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii indisponibile despre stoc

€ 0,95

€ 0,19 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 1,13

€ 0,226 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Infineon N-Channel MOSFET, 1.2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 IRLML2402TRPBF
Selectati tipul de ambalaj

€ 0,95

€ 0,19 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 1,13

€ 0,226 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Infineon N-Channel MOSFET, 1.2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 IRLML2402TRPBF
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.2 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Serie

HEXFET

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

250 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.7V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.7V

Maximum Power Dissipation

540 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Typical Gate Charge @ Vgs

2.6 nC @ 4.5 V

Latime

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3.04mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

1.02mm

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET 12V to 25V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe