Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 210 A, 75 V, 3-Pin TO-220AB IRFB3077PBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
210 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Serie
HEXFET
Tip pachet
TO-220AB
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3.3 m?
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
370 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
160 nC @ 10 V
Latime
4.82mm
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.66mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Transistor Material
Si
Inaltime
9.02mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Detalii produs
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 30,60
€ 3,06 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 36,41
€ 3,64 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
10
€ 30,60
€ 3,06 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 36,41
€ 3,64 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 10 - 24 | € 3,06 |
| 25 - 49 | € 2,97 |
| 50 - 99 | € 2,75 |
| 100+ | € 2,53 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
210 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Serie
HEXFET
Tip pachet
TO-220AB
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3.3 m?
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
370 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
160 nC @ 10 V
Latime
4.82mm
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.66mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Transistor Material
Si
Inaltime
9.02mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Detalii produs
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse