Infineon Dual N/P-Channel MOSFET, 2.3 A, 3.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC IRF9952TRPBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
2.3 A, 3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
HEXFET
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ, 400 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.1 nC @ 10 V, 6.9 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.5mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 1.240,00
€ 0,31 Buc. (Pe o rola de 4000) (fara TVA)
€ 1.475,60
€ 0,369 Buc. (Pe o rola de 4000) (cu TVA)
4000
€ 1.240,00
€ 0,31 Buc. (Pe o rola de 4000) (fara TVA)
€ 1.475,60
€ 0,369 Buc. (Pe o rola de 4000) (cu TVA)
4000
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
2.3 A, 3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
HEXFET
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ, 400 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.1 nC @ 10 V, 6.9 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.5mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse