Infineon HEXFET Dual N-Channel MOSFET, 4.9 A, 30 V, 8-Pin SOIC IRF7303TRPBF
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.9 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
HEXFET
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
2
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
4mm
Transistor Material
Si
Forward Diode Voltage
1V
Inaltime
1.5mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 39,00
€ 0,39 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 47,19
€ 0,472 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
100
€ 39,00
€ 0,39 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 47,19
€ 0,472 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
100
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 100 - 180 | € 0,39 | € 7,80 |
| 200 - 480 | € 0,36 | € 7,20 |
| 500 - 980 | € 0,33 | € 6,60 |
| 1000+ | € 0,31 | € 6,20 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.9 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
HEXFET
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
2
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
4mm
Transistor Material
Si
Forward Diode Voltage
1V
Inaltime
1.5mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse