Infineon N-Channel MOSFET, 38 A, 650 V, 3-Pin TO-220 IPP60R099C6XKSA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
38 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
CoolMOS™ C6
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
99 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
35 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
4.9mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
119 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
16.15mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Detalii produs
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 56,60
€ 5,66 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 67,35
€ 6,735 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
10
€ 56,60
€ 5,66 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 67,35
€ 6,735 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
10
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 10 - 18 | € 5,66 | € 11,32 |
| 20 - 48 | € 5,22 | € 10,44 |
| 50 - 98 | € 4,86 | € 9,72 |
| 100+ | € 4,44 | € 8,88 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
38 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
CoolMOS™ C6
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
99 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
35 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Latime
4.9mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
119 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
16.15mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Detalii produs
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse