Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 34 A, 200 V, 3-Pin TO-220 IPP320N20N3GXKSA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
34 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Serie
OptiMOS™ 3
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
136 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.57mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
15.95mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 103,50
€ 2,07 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 123,16
€ 2,463 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 103,50
€ 2,07 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 123,16
€ 2,463 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,07 | € 103,50 |
| 100+ | € 1,93 | € 96,50 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
34 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Serie
OptiMOS™ 3
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
136 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.57mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
15.95mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse