Infineon CoolMOS™ CE N-Channel MOSFET, 7.2 A, 650 V, 3-Pin DPAK IPD65R1K0CEAUMA1

Nr. stoc RS: 214-9045Producator: InfineonCod de producator: IPD65R1K0CEAUMA1
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7.2 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

CoolMOS™ CE

Tip pachet

TO-252

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

1 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 17,00

€ 0,68 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

€ 20,23

€ 0,809 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)

Infineon CoolMOS™ CE N-Channel MOSFET, 7.2 A, 650 V, 3-Pin DPAK IPD65R1K0CEAUMA1
Selectati tipul de ambalaj

€ 17,00

€ 0,68 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

€ 20,23

€ 0,809 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)

Infineon CoolMOS™ CE N-Channel MOSFET, 7.2 A, 650 V, 3-Pin DPAK IPD65R1K0CEAUMA1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Pachet
25 - 100€ 0,68€ 17,00
125 - 225€ 0,64€ 16,00
250 - 600€ 0,62€ 15,50
625 - 1225€ 0,57€ 14,25
1250+€ 0,53€ 13,25

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7.2 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

CoolMOS™ CE

Tip pachet

TO-252

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

1 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe