Infineon CoolSiC Silicon N-Channel MOSFET, 39 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IMW65R048M1HXKSA1

Nr. stoc RS: 232-0389Producator: InfineonCod de producator: IMW65R048M1HXKSA1
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

39 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

CoolSiC

Tip pachet

TO-247

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.064 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.7V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 198,30

€ 6,61 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

€ 235,98

€ 7,866 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)

Infineon CoolSiC Silicon N-Channel MOSFET, 39 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IMW65R048M1HXKSA1

€ 198,30

€ 6,61 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

€ 235,98

€ 7,866 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)

Infineon CoolSiC Silicon N-Channel MOSFET, 39 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IMW65R048M1HXKSA1
Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Tub
30 - 30€ 6,61€ 198,30
60 - 60€ 6,22€ 186,60
90+€ 5,77€ 173,10

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

39 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

CoolSiC

Tip pachet

TO-247

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.064 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.7V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe