Diodes Inc P-Channel MOSFET, 10.4 A, 60 V, 3-Pin DPAK ZXMP6A18KTC
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
10.4 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
10.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 5 V
Latime
7.67mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.73mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
2.39mm
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 1,66
€ 0,83 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 1,98
€ 0,988 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
Standard
2
€ 1,66
€ 0,83 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 1,98
€ 0,988 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
Standard
2
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 2 - 24 | € 0,83 | € 1,66 |
| 26+ | € 0,56 | € 1,12 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
10.4 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
10.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 5 V
Latime
7.67mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.73mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
2.39mm
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse