Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 2.6 A, 4.7 A, 60 V, 8-Pin SOIC ZXMC4559DN8TA
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
2.6 A, 4.7 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
75 mΩ, 125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
3.95mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Lungime
4.95mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20.4 nC @ 10 V, 24.2 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.5mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 13,80
€ 0,69 Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)
€ 16,42
€ 0,821 Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)
Standard
20
€ 13,80
€ 0,69 Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)
€ 16,42
€ 0,821 Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)
Standard
20
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 20 - 240 | € 0,69 | € 13,80 |
| 260+ | € 0,55 | € 11,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
2.6 A, 4.7 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
75 mΩ, 125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
3.95mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Lungime
4.95mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20.4 nC @ 10 V, 24.2 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.5mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse