Diodes Inc N-Channel MOSFET, 6.4 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMN2041L-7
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.4 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
780 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Typical Gate Charge @ Vgs
15.6 nC @ 10 V
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Lungime
3mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
1.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 5,50
€ 0,11 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 6,54
€ 0,131 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
50
€ 5,50
€ 0,11 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 6,54
€ 0,131 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
50
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.4 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
780 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Typical Gate Charge @ Vgs
15.6 nC @ 10 V
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Lungime
3mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
1.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse