Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 9.3 A, 9.6 A, 35 V, 3-Pin DPAK DMG4511SK4-13
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
9.3 A, 9.6 A
Maximum Drain Source Voltage
35 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
8.9 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
6.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Lungime
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18.7 nC @ 10 V, 19.2 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
2.39mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 12,00
€ 0,60 Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)
€ 14,28
€ 0,714 Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)
Standard
20
€ 12,00
€ 0,60 Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)
€ 14,28
€ 0,714 Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)
Standard
20
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 20 - 80 | € 0,60 | € 12,00 |
| 100 - 480 | € 0,39 | € 7,80 |
| 500 - 980 | € 0,34 | € 6,80 |
| 1000+ | € 0,30 | € 6,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
9.3 A, 9.6 A
Maximum Drain Source Voltage
35 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
8.9 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
6.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Lungime
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18.7 nC @ 10 V, 19.2 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
2.39mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse