Diodes Inc P-Channel MOSFET, 3.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMG2305UX-7
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
1.4 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.4mm
Lungime
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.2 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.1mm
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 180,00
€ 0,06 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 214,20
€ 0,071 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 180,00
€ 0,06 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 214,20
€ 0,071 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | € 0,06 | € 180,00 |
| 9000+ | € 0,06 | € 180,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
1.4 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.4mm
Lungime
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.2 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.1mm
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse