Wolfspeed Dual SiC N-Channel MOSFET, 325 A, 1700 V, 7-Pin Half Bridge CAS300M17BM2
Documente tehnice
Specificatii
Marca
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
325 A
Maximum Drain Source Voltage
1700 V
Tip pachet
Half Bridge
Timp montare
Screw Mount
Numar pini
7
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
1.76 kW
Transistor Configuration
Series
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +25 V
Latime
61.4mm
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
2
Lungime
106.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1076 nC @ 20 V, 1076 nC @ 5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
30mm
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Forward Diode Voltage
2.5V
Detalii produs
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET Modules
Silicon Carbide power MOSFET modules from Wolfspeed, the power division of Cree Inc. These SiC MOSFET modules are housed in industrial standard packages and are available in Half-bridge (2 MOSFETs) and 3-phase (6 MOSFETs) formats; they also include SiC reverse recovery diodes. Typical applications include induction heating, solar and wind inverters, DC-DC converters, 3-phase PFC, line regeneration drives, UPS & SMPS, motor drives and battery chargers.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 1.153,75
€ 1.153,75 Buc. (fara TVA)
€ 1.372,96
€ 1.372,96 Buc. (cu TVA)
1
€ 1.153,75
€ 1.153,75 Buc. (fara TVA)
€ 1.372,96
€ 1.372,96 Buc. (cu TVA)
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
325 A
Maximum Drain Source Voltage
1700 V
Tip pachet
Half Bridge
Timp montare
Screw Mount
Numar pini
7
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
1.76 kW
Transistor Configuration
Series
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +25 V
Latime
61.4mm
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
2
Lungime
106.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1076 nC @ 20 V, 1076 nC @ 5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
30mm
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Forward Diode Voltage
2.5V
Detalii produs
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET Modules
Silicon Carbide power MOSFET modules from Wolfspeed, the power division of Cree Inc. These SiC MOSFET modules are housed in industrial standard packages and are available in Half-bridge (2 MOSFETs) and 3-phase (6 MOSFETs) formats; they also include SiC reverse recovery diodes. Typical applications include induction heating, solar and wind inverters, DC-DC converters, 3-phase PFC, line regeneration drives, UPS & SMPS, motor drives and battery chargers.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse