Wolfspeed Dual SiC N-Channel MOSFET, 193 A, 1200 V, 7-Pin Half Bridge CAS120M12BM2
Documente tehnice
Specificatii
Marca
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
193 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Tip pachet
Half Bridge
Timp montare
Screw Mount
Numar pini
7
Maximum Drain Source Resistance
30 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
925 W
Transistor Configuration
Series
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +25 V
Number of Elements per Chip
2
Latime
61.4mm
Lungime
106.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
378 nC @ 20 V
Transistor Material
SiC
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Forward Diode Voltage
2.4V
Inaltime
30mm
Tara de origine
China
Detalii produs
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET Modules
Silicon Carbide power MOSFET modules from Wolfspeed, the power division of Cree Inc. These SiC MOSFET modules are housed in industrial standard packages and are available in Half-bridge (2 MOSFETs) and 3-phase (6 MOSFETs) formats; they also include SiC reverse recovery diodes. Typical applications include induction heating, solar and wind inverters, DC-DC converters, 3-phase PFC, line regeneration drives, UPS & SMPS, motor drives and battery chargers.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 5.438,10
€ 543,81 Buc. (Intr-o cutie de 10) (fara TVA)
€ 6.471,34
€ 647,134 Buc. (Intr-o cutie de 10) (cu TVA)
10
€ 5.438,10
€ 543,81 Buc. (Intr-o cutie de 10) (fara TVA)
€ 6.471,34
€ 647,134 Buc. (Intr-o cutie de 10) (cu TVA)
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
193 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Tip pachet
Half Bridge
Timp montare
Screw Mount
Numar pini
7
Maximum Drain Source Resistance
30 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
925 W
Transistor Configuration
Series
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +25 V
Number of Elements per Chip
2
Latime
61.4mm
Lungime
106.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
378 nC @ 20 V
Transistor Material
SiC
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Forward Diode Voltage
2.4V
Inaltime
30mm
Tara de origine
China
Detalii produs
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET Modules
Silicon Carbide power MOSFET modules from Wolfspeed, the power division of Cree Inc. These SiC MOSFET modules are housed in industrial standard packages and are available in Half-bridge (2 MOSFETs) and 3-phase (6 MOSFETs) formats; they also include SiC reverse recovery diodes. Typical applications include induction heating, solar and wind inverters, DC-DC converters, 3-phase PFC, line regeneration drives, UPS & SMPS, motor drives and battery chargers.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse