Vishay ThunderFET N-Channel MOSFET, 11.3 A, 100 V, 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA416DJ-T1-GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11.3 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
PowerPAK SC-70
Serie
ThunderFET
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
130 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.6V
Maximum Power Dissipation
19 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
2.15mm
Lungime
2.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.5 nC @ 10 V
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
0.75mm
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 780,00
€ 0,26 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 928,20
€ 0,309 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 780,00
€ 0,26 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 928,20
€ 0,309 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11.3 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
PowerPAK SC-70
Serie
ThunderFET
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
130 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.6V
Maximum Power Dissipation
19 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
2.15mm
Lungime
2.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.5 nC @ 10 V
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
0.75mm
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse