Vishay N-Channel MOSFET, 12.7 A, 25 V, 8-Pin SOIC SI4116DY-T1-GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12.7 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
17.5 nC @ 4.5 V, 37 nC @ 10 V
Latime
4mm
Transistor Material
Si
Inaltime
1.55mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 44,50
€ 0,89 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 52,96
€ 1,059 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
50
€ 44,50
€ 0,89 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 52,96
€ 1,059 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
50
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 0,89 | € 4,45 |
| 250 - 495 | € 0,80 | € 4,00 |
| 500 - 1245 | € 0,75 | € 3,75 |
| 1250+ | € 0,69 | € 3,45 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12.7 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
17.5 nC @ 4.5 V, 37 nC @ 10 V
Latime
4mm
Transistor Material
Si
Inaltime
1.55mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse