P-Channel MOSFET Transistor, 4.1 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2333DS-T1-E3
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Tip pachet
TO-236
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
750 mW
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
11.5 nC @ 4.5 V
Latime
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3.04mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.02mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
P.O.A.
Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
10
P.O.A.
Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Tip pachet
TO-236
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
750 mW
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
11.5 nC @ 4.5 V
Latime
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3.04mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.02mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse