Vishay P-Channel MOSFET, 2 A, 200 V, 3-Pin TO-220FP IRFI9610GPBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Tip pachet
TO-220FP
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
27 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
9.8mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 11,55
€ 2,31 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 13,74
€ 2,749 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 11,55
€ 2,31 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 13,74
€ 2,749 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,31 | € 11,55 |
| 50 - 245 | € 2,15 | € 10,75 |
| 250 - 495 | € 1,93 | € 9,65 |
| 500 - 1245 | € 1,80 | € 9,00 |
| 1250+ | € 1,67 | € 8,35 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Tip pachet
TO-220FP
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
27 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
9.8mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse