Vishay N-Channel MOSFET, 2.5 A, 500 V, 3-Pin TO-220AB IRF820PBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Tip pachet
TO-220AB
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Latime
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.41mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
9.01mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 9,80
€ 0,98 Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)
€ 11,66
€ 1,17 Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Banda)
10
€ 9,80
€ 0,98 Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)
€ 11,66
€ 1,17 Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Banda)
10
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 10 - 49 | € 0,98 |
| 50 - 99 | € 0,86 |
| 100 - 249 | € 0,80 |
| 250+ | € 0,73 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Tip pachet
TO-220AB
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Latime
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.41mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
9.01mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse