P-Channel MOSFET, 16 A, 80 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L Vishay Siliconix SQJ481EP-T1_GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
PowerPAK SO-8L
Montare
Surface Mount
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
90 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33 nC @ 10 V
Latime
5mm
Transistor Material
Si
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Inaltime
1.07mm
Tara de origine
China
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 19,00
€ 0,76 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 22,61
€ 0,904 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Standard
25
€ 19,00
€ 0,76 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 22,61
€ 0,904 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Standard
25
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 25 - 75 | € 0,76 | € 19,00 |
| 100 - 475 | € 0,58 | € 14,50 |
| 500 - 975 | € 0,49 | € 12,25 |
| 1000+ | € 0,39 | € 9,75 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
PowerPAK SO-8L
Montare
Surface Mount
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
90 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33 nC @ 10 V
Latime
5mm
Transistor Material
Si
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Inaltime
1.07mm
Tara de origine
China
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse