Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 6-Pin SC-70-6L SiA106DJ-T1-GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
SC-70-6L
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
19 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Lungime
2.2mm
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.9 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 960,00
€ 0,32 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 1.142,40
€ 0,381 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 960,00
€ 0,32 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 1.142,40
€ 0,381 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
SC-70-6L
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
19 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Lungime
2.2mm
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.9 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse