N-Channel MOSFET, 6.8 A, 650 V, 3-Pin DPAK Toshiba TK7P65W,RQ(S

Nr. stoc RS: 133-2801Producator: ToshibaCod de producator: TK7P65W,RQ(S
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

6.8 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

DTMOSIV

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

800 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

60 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Latime

6.1mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Lungime

6.6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Inaltime

2.3mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Tara de origine

Japan

Detalii produs

MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 7,70

€ 0,77 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 9,16

€ 0,916 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 6.8 A, 650 V, 3-Pin DPAK Toshiba TK7P65W,RQ(S

10

Disponibil in multiplu de 10
10€ 7,70
20€ 15,40
30€ 23,10
40€ 30,80
50€ 38,50
60€ 46,20
70€ 53,90
80€ 61,60
90€ 69,30
100€ 77,00
110€ 84,70
120€ 92,40
130€ 100,10
140€ 107,80
150€ 115,50

€ 7,70

€ 0,77 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 9,16

€ 0,916 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 6.8 A, 650 V, 3-Pin DPAK Toshiba TK7P65W,RQ(S
Informatii indisponibile despre stoc

10

Disponibil in multiplu de 10
10€ 7,70
20€ 15,40
30€ 23,10
40€ 30,80
50€ 38,50
60€ 46,20
70€ 53,90
80€ 61,60
90€ 69,30
100€ 77,00
110€ 84,70
120€ 92,40
130€ 100,10
140€ 107,80
150€ 115,50

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

6.8 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

DTMOSIV

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

800 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

60 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Latime

6.1mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Lungime

6.6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Inaltime

2.3mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Tara de origine

Japan

Detalii produs

MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe