Toshiba TK N-Channel MOSFET, 58 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS TK58A06N1,S4X(S
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
58 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
TK
Tip pachet
TO-220SIS
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
5.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
35 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
15mm
Tara de origine
China
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 3,90
€ 0,78 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 4,64
€ 0,928 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
5
€ 3,90
€ 0,78 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 4,64
€ 0,928 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,78 | € 3,90 |
| 50 - 95 | € 0,64 | € 3,20 |
| 100 - 245 | € 0,57 | € 2,85 |
| 250 - 495 | € 0,56 | € 2,80 |
| 500+ | € 0,54 | € 2,70 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
58 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
TK
Tip pachet
TO-220SIS
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
5.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
35 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
15mm
Tara de origine
China
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse