Toshiba N-Channel MOSFET, 20 A, 250 V, 3-Pin TO-220SIS TK20A25D,S5X(J
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Tip pachet
TO-220SIS
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.5mm
Lungime
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
55 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.7V
Inaltime
15mm
Tara de origine
Japan
Detalii produs
MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 6,90
€ 0,69 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 8,21
€ 0,821 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
10
€ 6,90
€ 0,69 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 8,21
€ 0,821 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 10 - 20 | € 0,69 | € 6,90 |
| 30+ | € 0,65 | € 6,50 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Tip pachet
TO-220SIS
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.5mm
Lungime
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
55 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.7V
Inaltime
15mm
Tara de origine
Japan
Detalii produs
MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse