Toshiba TK N-Channel MOSFET, 11.5 A, 600 V, 3-Pin TO-220 TK12E60W,S1VX(S
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11.5 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serie
TK
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
300 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Latime
4.45mm
Inaltime
15.1mm
Tara de origine
China
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 12,80
€ 2,56 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 15,23
€ 3,046 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 12,80
€ 2,56 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 15,23
€ 3,046 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,56 | € 12,80 |
| 25 - 45 | € 2,03 | € 10,15 |
| 50 - 120 | € 1,83 | € 9,15 |
| 125 - 245 | € 1,67 | € 8,35 |
| 250+ | € 1,48 | € 7,40 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11.5 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serie
TK
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
300 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Latime
4.45mm
Inaltime
15.1mm
Tara de origine
China
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse