Toshiba 2SK N-Channel MOSFET, 5 A, 60 V, 3-Pin PW Mold2 2SK4017(Q)

Nr. stoc RS: 185-580Producator: ToshibaCod de producator: 2SK4017(Q)
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

PW Mold2

Serie

2SK

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

100 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

20 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.5mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Latime

2.3mm

Inaltime

5.5mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Tara de origine

Japan

Detalii produs

MOSFET N-Channel, 2SK Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 6,00

€ 0,30 Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)

€ 7,14

€ 0,357 Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)

Toshiba 2SK N-Channel MOSFET, 5 A, 60 V, 3-Pin PW Mold2 2SK4017(Q)

€ 6,00

€ 0,30 Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)

€ 7,14

€ 0,357 Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)

Toshiba 2SK N-Channel MOSFET, 5 A, 60 V, 3-Pin PW Mold2 2SK4017(Q)
Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Pachet
20 - 40€ 0,30€ 6,00
60 - 100€ 0,26€ 5,20
120 - 220€ 0,22€ 4,40
240 - 460€ 0,22€ 4,40
480+€ 0,21€ 4,20

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

PW Mold2

Serie

2SK

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

100 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

20 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.5mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Latime

2.3mm

Inaltime

5.5mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Tara de origine

Japan

Detalii produs

MOSFET N-Channel, 2SK Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe