Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 134 A, 60 V, 8-Pin VSONP CSD18531Q5A
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
134 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
NexFET
Tip pachet
VSONP
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
5.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 8,90
€ 1,78 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 10,59
€ 2,118 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 8,90
€ 1,78 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 10,59
€ 2,118 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,78 | € 8,90 |
| 25 - 45 | € 1,68 | € 8,40 |
| 50 - 120 | € 1,49 | € 7,45 |
| 125 - 245 | € 1,33 | € 6,65 |
| 250+ | € 1,25 | € 6,25 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
134 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
NexFET
Tip pachet
VSONP
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
5.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse