N-Channel MOSFET, 5 A, 60 V, 8-Pin SOIC STMicroelectronics STS5NF60L
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOIC
Serie
DeepGate, STripFET
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
55 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17 nC @ 5 V
Latime
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
1.65mm
Detalii produs
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 11,10
€ 1,11 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 13,21
€ 1,321 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
€ 11,10
€ 1,11 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 13,21
€ 1,321 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 1,11 | € 11,10 |
| 50 - 90 | € 1,05 | € 10,50 |
| 100 - 240 | € 0,94 | € 9,40 |
| 250 - 490 | € 0,84 | € 8,40 |
| 500+ | € 0,80 | € 8,00 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOIC
Serie
DeepGate, STripFET
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
55 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17 nC @ 5 V
Latime
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
1.65mm
Detalii produs
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse