onsemi N-Channel MOSFET, 316 A, 40 V, 8-Pin DFN NVMFSC0D9N04CL
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
316 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
DFN
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
1.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
166 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5mm
Lungime
5.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
86 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
0.95mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 7.410,00
€ 2,47 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 8.817,90
€ 2,939 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 7.410,00
€ 2,47 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 8.817,90
€ 2,939 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
316 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
DFN
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
1.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
166 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5mm
Lungime
5.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
86 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
0.95mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse