onsemi N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 5-Pin DFN NTMFS5C673NLT1G
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
DFN
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
5
Maximum Drain Source Resistance
13 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
46 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
6.1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
1.05mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 122,00
€ 0,61 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 145,18
€ 0,726 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
200
€ 122,00
€ 0,61 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 145,18
€ 0,726 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
200
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,61 | € 12,20 |
| 500+ | € 0,53 | € 10,60 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
DFN
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
5
Maximum Drain Source Resistance
13 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
46 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
6.1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
1.05mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse