onsemi Dual N-Channel MOSFET, 42 A, 60 V, 8-Pin DFN NTMFD5C674NLT1G
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
42 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
DFN
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
14.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
37 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
2
Latime
6.1mm
Lungime
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.7 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
1.05mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
Malaysia
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 8,00
€ 0,80 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 9,52
€ 0,952 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
€ 8,00
€ 0,80 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 9,52
€ 0,952 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,80 | € 8,00 |
| 100 - 240 | € 0,67 | € 6,70 |
| 250 - 490 | € 0,64 | € 6,40 |
| 500 - 990 | € 0,62 | € 6,20 |
| 1000+ | € 0,60 | € 6,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
42 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
DFN
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
14.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
37 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
2
Latime
6.1mm
Lungime
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.7 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
1.05mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
Malaysia
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse