onsemi NTH SiC N-Channel MOSFET Transistor, 29 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4 NTH4L080N120SC1

Nr. stoc RS: 202-5700Producator: onsemiCod de producator: NTH4L080N120SC1
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

29 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Serie

NTH

Tip pachet

TO-247-4

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

0.11 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.3V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 2.704,50

€ 6,01 Each (In a Tube of 450) (fara TVA)

€ 3.218,36

€ 7,152 Each (In a Tube of 450) (cu TVA)

onsemi NTH SiC N-Channel MOSFET Transistor, 29 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4 NTH4L080N120SC1

450

Disponibil in multiplu de 450
450€ 2.704,50
900€ 5.409,00
1350€ 8.113,50
1800€ 10.818,00
2250€ 13.522,50
2700€ 16.227,00
3150€ 18.931,50
3600€ 21.636,00
4050€ 24.340,50
4500€ 27.045,00
4950€ 29.749,50
5400€ 32.454,00
5850€ 35.158,50
6300€ 37.863,00
6750€ 40.567,50

€ 2.704,50

€ 6,01 Each (In a Tube of 450) (fara TVA)

€ 3.218,36

€ 7,152 Each (In a Tube of 450) (cu TVA)

onsemi NTH SiC N-Channel MOSFET Transistor, 29 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4 NTH4L080N120SC1
Informatii despre stoc temporar indisponibile

450

Disponibil in multiplu de 450
450€ 2.704,50
900€ 5.409,00
1350€ 8.113,50
1800€ 10.818,00
2250€ 13.522,50
2700€ 16.227,00
3150€ 18.931,50
3600€ 21.636,00
4050€ 24.340,50
4500€ 27.045,00
4950€ 29.749,50
5400€ 32.454,00
5850€ 35.158,50
6300€ 37.863,00
6750€ 40.567,50

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

29 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Serie

NTH

Tip pachet

TO-247-4

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

0.11 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.3V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe