onsemi P-Channel MOSFET, 2.9 A, 60 V, 6-Pin TSOP-6 NTGS5120PT1G
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2.9 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
TSOP-6
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
142 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
1.4 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
1.7mm
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Lungime
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18.1 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 8,25
€ 0,33 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 9,82
€ 0,393 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
25
€ 8,25
€ 0,33 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 9,82
€ 0,393 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
25
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2.9 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
TSOP-6
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
142 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
1.4 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
1.7mm
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Lungime
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18.1 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse