onsemi QFET N-Channel MOSFET, 9 A, 500 V, 3-Pin TO-220F FQPF9N50CF

Nr. stoc RS: 807-5910Producator: onsemiCod de producator: FQPF9N50CF
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

9 A

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Tip pachet

TO-220F

Serie

QFET

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

850 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

44 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

28 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.36mm

Latime

4.9mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

16.07mm

Detalii produs

QFET® N-Channel MOSFET, 6A to 10.9A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 8,00

€ 1,60 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 9,52

€ 1,904 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

onsemi QFET N-Channel MOSFET, 9 A, 500 V, 3-Pin TO-220F FQPF9N50CF
Selectati tipul de ambalaj

€ 8,00

€ 1,60 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 9,52

€ 1,904 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

onsemi QFET N-Channel MOSFET, 9 A, 500 V, 3-Pin TO-220F FQPF9N50CF
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Pachet
5 - 45€ 1,60€ 8,00
50 - 95€ 1,36€ 6,80
100 - 495€ 1,17€ 5,85
500 - 995€ 1,02€ 5,10
1000+€ 0,92€ 4,60

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

9 A

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Tip pachet

TO-220F

Serie

QFET

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

850 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

44 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

28 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.36mm

Latime

4.9mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

16.07mm

Detalii produs

QFET® N-Channel MOSFET, 6A to 10.9A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze